در این روش جدید نوعی آلیاژ خاص متشكل از «ژرمانیوم»، «آنتی‌موان» و «تلاریوم» كه در ساخت حافظه‌های تغیير فاز كاربرد دارد، با الماس جایگزین می‌شود.

حافظه‌هایی كه به این روش ساخته می‌شوند 100 برابر سریع‌تر از حافظه‌های فلش بوده و تا 100 هزار بار امكان بازنویسی اطلاعات را فراهم می‌كنند.

در حال حاضر شركت‌ «آی‌بی‌ام» و سایر شركت‌های سخت‌افزاری، این فناوری را برای تولید تراشه‌هایی با قابلیت پنج میلیون بازنویسی مورد استفاده قرار می‌دهند.

انتظار می‌رود تا پنج سال آینده تمام هارددیسك‌ها با استفاده از این فناوری تولید شوند و فضایی صدها برابر فضای كنونی را برای ذخیره اطلاعات با هزاران برابر سرعت فعلی آن فراهم كنند.